MBE-500 主要采用氬弧焊加工的圓柱形316不銹鋼腔體，腔體頂部法蘭尺寸為DN400CF，配置10個(gè)以上的蒸發(fā)源。系統預留多種法蘭口，安裝法蘭兼容RGA、RHEED、BFM等多種原位測量。模塊化設計，設備多功能性強，束流擋板瞬時(shí)可控，可實(shí)現2 inch高質(zhì)量薄膜生長(cháng)。
| ● 可靈活配置不同種類(lèi)的蒸發(fā)源，可在襯底上進(jìn)行高質(zhì)量外延成長(cháng) | ● 應用范圍廣，兼容III-V族、氧化物、氮化物薄膜生長(cháng) | ● 可互聯(lián)Cluster傳樣系統，實(shí)現2 inch襯底托盤(pán)全自動(dòng)傳遞 |
| ● 配備原位檢測系統，實(shí)時(shí)監控生長(cháng)狀態(tài) | ||
| MBE-500 | 模塊描述 | 配置參數 | |
| 生長(cháng)室 | 腔體 | 腔體材料 | SS316 |
| 腔體尺寸 | 400mm I.D | ||
| 烘烤溫度 | Max.200℃ | ||
| 本底真空 | < 5×10-10 mbar | ||
| 抽氣系統 | 700L/s分子泵+10m3/h機械泵 | ||
| 真空測量系統 | 離子規+Pirani規 | ||
| 液氮冷屏 | 選配 | ||
| 離子泵 | 選配 | ||
| 低溫泵 | 選配 | ||
| 樣品架 | 樣品尺寸 | 2 inch | |
| 襯底加熱方式 | 輻射加熱 | ||
| 襯底加熱器溫度 | 室溫-1200K | ||
| 電子束加熱 | 選配 | ||
| 直流加熱 | 選配 | ||
| 液氮制冷模塊 | 選配 | ||
| 部件 | 蒸發(fā)源配置 | 6xDN40CF, 4xDN63CF, 1xDN100CF | |
| 獨立的蒸發(fā)源擋板 | 氣動(dòng)驅動(dòng) | ||
| BFM | 標配 | ||
| RHEED | 15KeV-30KeV | ||
| Ion Source | 選配 | ||
| RGA | 選配 | ||
快速進(jìn)樣室 | 腔體 | 腔體材料 | SS316 |
| 烘烤溫度 | Max.200℃ | ||
| 本底真空 | <5×10-8 mbar | ||
| 抽氣系統 | 80L/s分子泵+10m3/h機械泵 | ||
| 真空測量系統 | 全量程規 | ||
| 部件 | 樣品停放臺 | 3工位 | |
| 系統集成及控制 | GUIDE軟件 | 標配 | |
| 烘烤系統 | 標配 | ||
| 系統支架 | 標配 | ||
| 污染物回收系統 | 選配 | ||
| 真空照明系統 | 選配 | ||
| 等離子清洗 | 選配 | ||
| 泵車(chē) | 選配 | ||
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