Cubic 200 采用一體成型的方形316不銹鋼腔體，最多可安裝3個(gè)束源爐。
四軸樣品操縱臺可水平或豎直安裝，適用于小尺寸（匹配旗形樣品托）樣品生長(cháng)。
系統預留多種法蘭口，非常適合科研用戶(hù)工藝摸索和研究。
| ● 一套小型、緊湊、性?xún)r(jià)比高的系統 | ● 不銹鋼腔體一體加工成型、無(wú)焊縫結構、可更容易實(shí)現超高真空環(huán)境 | ● 可用于通識教育的科研設備、簡(jiǎn)單直觀(guān)了解分子束外延技術(shù) |
| HMF-MBE 200 | 模塊描述 | 配置參數 | |
| 生長(cháng)室 | 腔體 | 腔體材料 | SS316 |
| 腔體尺寸 | 200mm I.D | ||
| 烘烤溫度 | Max.200℃ | ||
| 本底真空 | < 5×10-10 mbar | ||
| 抽氣系統 | 300L/s分子泵+10m3/h機械泵 | ||
| 真空測量系統 | 離子規+Pirani規 | ||
| 離子泵 | 選配 | ||
| 樣品架 | 樣品尺寸 | Flag-type 樣品托 | |
| 襯底加熱方式 | 輻射加熱 | ||
| 襯底加熱器溫度 | 1200K | ||
| 電子束加熱 | 選配 | ||
| 直流加熱 | 選配 | ||
| 液氮制冷模塊 | 選配 | ||
| 部件 | 蒸發(fā)源配置 | 3xDN40CF | |
| 獨立的蒸發(fā)源擋板 | 氣動(dòng)驅動(dòng) | ||
| QCM | 標配 | ||
| Ion Source | 選配 | ||
| RGA | 選配 | ||
| 快速進(jìn)樣室 | 腔體 | 腔體材料 | SS316 |
| 烘烤溫度 | Max.200℃ | ||
| 本底真空 | <5×10-8 mbar | ||
| 抽氣系統 | 80L/s分子泵+10m3/h機械泵 | ||
| 真空測量系統 | 全量程規 | ||
| 部件 | 樣品停放臺 | 6或12工位 | |
| 系統集成及控制 | GUIDE軟件 | 標配 | |
| 烘烤系統 | 標配 | ||
| 系統支架 | 標配 | ||
| 真空照明系統 | 選配 | ||
| 等離子清洗 | 選配 | ||
| CCD相機 | 選配 | ||
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